گزارش کارگاه معرفی روش های استاندارد شناسایی و تشخیص نانومواد

کارگاه تخصصی آموزشی«معرفی روش های استاندارد شناسایی و تشخیص نانومواد» روز یکشنبه ۲۲مهرماه ازساعت ۹:۳۰تا۱۲:۳۰با حضور یش از ۳۰نفر ازعلاقمندان به حوزه شناسایی وسنتز نانومواد درمحل یازدهمین نمایشگاه بین المللی فناوری نانو در سالن خلیج فارس نمایشگاه بین المللی تهران توسط استارت آپ آنابیز به عنوان اولین پلتفرم جامع آزمایشگاهی کشور و با حمایت ستاد ویژه[…]

برگزاری کارگاه های تخصصی توسط آنابیز در حاشیه یازدهمین جشنواره نانو

آنابیز به عنوان اولین پلتفرم جامع آزمایشگاه های کشور با همکاری ستاد فناوری نانو معاونت علمی و فناوری راست جمهوری، سه کارگاه‌ تخصصی را در حوزه علوم آزمایشگاهی و فناوری نانو با حضور اساتید مجرب از ۲۱ الی ۲۴ مهرماه سال جاری هم‌زمان با یازدهمین نمایشگاه فناوری نانو در محل نمایشگاه بین‌المللی تهران، سالن خلیج[…]

LA-ICP-MS

Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry ( LA-ICP-MS ) در روش LA-ICP-MS، نمونه مستقیما با باریکه لیزری پالسی فرسایش داده می شود (ablation). آئروسل های ساخته شده به هسته ی پلاسمایی آرگونی جفت شده القایی منتقل می شود، که دمایی در حدود ۸۰۰۰ درجه سانتی گراد را ایجاد می کند. پلاسما در ICP-MS جهت تولید[…]

LEXES

طیف سنجی انتشار اشعه X با انرژی کم، LEXES

در آنابیز با یک آزمون دیگر به نام طیف سنجی انتشار اشعه X با انرژی کم، LEXES ،آشنا می شویم که یک تکنیک آنالیزی نزدیک سطح می باشد و از باریکه الکترون با انرژی کم به عنوان منبع تهییج استفاده می کند. اتم های برانگیخته شده توسط باریکه الکترون، تحت انتشار اشعه های x مشخصه آسایش[…]

OP

پروفایلومتر اپتیکی (OP)

آنابیز و آزمون پروفایلومتر اپتیکی (OP) : پروفایلومتر اپتیکی یک روش بر پایه ی تداخل غیر تماسی است که برای مشخصه یابی توپوگرافی سطح استفاده می شود. OP معمولی تصاویر دو بعدی و سه بعدی از سطح، میزان زبری‌ های مجتمع و ویژگی های ابعادی را در اختیار می‌ دهد. کاربردهای اصلی: ارتفاع سختی ها[…]

SIMS

طیف سنجی جرم یونی ثانویه، آنالیز SIMS

طیف سنجی جرم یونی ثانویه، آنالیز SIMS ،غلظت های بسیار کم دوپنت ها و ناحالصی ها را مشخص می کند. این آنالیز قادر به تأمین پروفایل عمق عنصری در سرتاسر یک محدوده عمق از چند آنگستروم (Å) تا چند هزار میکرون (µm) است. نمونه موردنظر با باریکه ای از یون های اولیه (معمولا O یا[…]

TOF-SIMS

طیف سنجی زمان پرواز جرم یون ثانویه TOF-SIMS

طیف سنجی زمان پرواز جرم یون ثانویه TOF-SIMS یک تکنیک تحلیلی سطحی است که باریکه ی پالسی از یون های ثانویه را بر روی سطح نمونه متمرکز نموده و در یک فرایند اسپاتر تولید یون های ثانویه می کند. آنالیز این یون های ثانویه اطلاعاتی درباره گونه های مولکولی و عنصری موجود بر روی سطح[…]

TXRF

انعکاس کامل فلوئورسانس اشعه ایکس (TXRF)

از دیگر آزمون های موجود در آنابیز می توان به آزمون انعکاس کامل فلوئورسانس اشعه ایکس (TXRF) اشاره کرد که از تهییج سطح صیقل داده شده توسط اشعه x با زاویه بسیار کوچک استفاده می کند. زاویه اصابت باریکه اشعه x (معمولا ۰٫۰۵ᵒ) کمتر از زاویه بحرانی برای سوبسترا بوده و تهییج را برای اغلب[…]

ICP-OES

طیف سنجی کوپل القایی پلاسما (ICP-OES/MS)

آنابیز و آزمون طیف سنجی کوپل القایی پلاسما (ICP-OES/MS): روش های تحلیلی کوپل القایی پلاسما (ICP) دارای قابلیت اندازه گیری کمی محتوای عنصری یک ماده از مقیاس ppt تا درصد وزنی (wt%) می‌باشد. تنها عناصری که توسط روش های ICP قابل اندازه گیری نیستند، C، H، O، N و هالوژن ها می باشند. نمونه های جامد[…]

SEM

روش میکروسکوپی پویش الکترونی،آنالیز SEM

روش میکروسکوپی پویش الکترونی،آنالیز SEM ،تصاویر با رزولوشن بالا و با عمق میدان طویل از سطح و نزدیک سطح نمونه تهیه می کند. SEM یکی از پرکاربردترین تجهیزات تحلیلی به دلیل ایجاد سریع تصاویر با جزئیات فوق العاده می باشد. همچنین در کنار آشکار کننده کمکی طیف سنجی تفرق انرژی اشعه ایکس (EDS)، این روش تعیین مشخصات[…]