آزمون طیف سنجی زمان پرواز جرم یون ثانویه TOF-SIMS

طیف سنجی زمان پرواز جرم یون ثانویه TOF-SIMS

اطلاعات آزمون

درباره آزمون

کاربرد اصلی میکرو آنالیز مواد آلی و غیر آلی سطح هدایت طیف جرمی از سطوح تصویربرداری یونی از سطوح اندازه گیری دز و ضخامت اکسی نیترید سیلیکون مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: گونه های مولکولی و عنصری عناصر آشکارسازی شده: پوشش کل جدول تناوبیبه همراه گونه های مولکولی محدودیت های آشکارسازی: at/cm2 1010-107 زیر تک لایه وضوح عمق: ۳-۱ تک لایه (حالت استاتیک) نصویربرداری/نقشه برداری: بله رزولوشن جانبی/اندازه تخلخل: حدود ۰/۲۰µm


انتخاب آزمایشگاه

برای ایجاد سفارش از آزمایشگاه های دارای آزمون طیف سنجی زمان پرواز جرم یون ثانویه TOF-SIMS، انتخاب کنید.

آزمایشگاهی جهت نمایش وجود ندارد.