آزمون ها


آزمون های موجود

طیف سنجی کوپل القایی پلاسما (ICP-OES)

دستگاه طیف سنج ICP-OES از تجهیزات آنالیتیکال آزمایشگاهی می باشد که در سال های اخیر توجه ویژه ای به آن شده است. دستگاه ICP-OES تجهیزی است که برای آنالیز سریع و دقیق طیف وسیعی از عناصر در آزمایشگاه مورد استفاده قرار می گیرد. از دیگر ویژگی های دستگاه ICP-OES می توان به ردیابی عناصر در محدوده غلظت پایین در حد ppb اشاره کرد. یکی از کاربردهای دستگاه ICP-OES آنالیز و بررسی عناصر موجود در خاک می باشد. از آنجا که معمولاً در فرایند آنالیز خاک همواره اندازه گیری چند عنصر بطور همزمان مطرح می باشد، بنابراین دستگاه ICP-OES با قابلیت آنالیز همزمان و دقیق چند عنصر، ابزاری ایده آل برای این امر به شمار می آید. کاربردهای اصلی بررسی کمی عمده عناصر اصلی، جزئی و ردیاب انداره گیری دقیق عناصر اصلی و جزئی در محدوده وسیعی از مواد کنترل کیفیت و فرایند مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: فوتون ها (OES) یا یون ها (MS) عناصر آشکارسازی شده: تا ۷۰ عنصر محدودیت های آشکارسازی: ppb وضوح عمق: روش عمده نصویربرداری/نقشه برداری: خیر

خدمت آزمون های عمومی



2
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

آنالیز ابزاری گاز (IGA)

کاربرد های اصلی اندازه گیری H، C، S، N و O در جامدات، پودرها یا مواد ویژه آنالیز جزء به جزء گاز برای کمی سازی H، C، S، N و O برای ایجاد تمایز بین غلظت های سطحی و توده ای H، O و N مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: جذب مادون قرمز و یا هدایت حرارتی عناصر آشکارسازی شده: H، C، N، O و S محدودیت های آشکارسازی: ppm وضوح عمق: روش حجمی

خدمت آزمون های عمومی



0
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

طیف سنجی رامان

کاربرد های اصلی تشخیص ساختار ملکولی عناصر آلی و غیر آلی برای آنالیز آلودگی ها، دسته بندی مواد، اندازه گیری تنش مشخصه یابی لایه‌های کربنی (گرافیت، الماس) پیوندهای غیر کووالانسی ( مخلوطها، پیوندهای فلزات) جهت گیری ( تصادفی، ساختار منظم) مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: پراکندگی رامان عناصر آشکارسازی شده: اطلاعات پیوندهای مولکولی و شیمیایی محدوده ی آشکارسازی: بزرگتر مساوی با ۱ %wt رزولوشون عمقی: مدل کانفوکال ۱-۵ میکرومتر تصویربرداری / نقشه برداری : بله رزولوشون جانبی / سایز پروب : بزرگتر مساوی ۱ میکرومتر

خدمت آزمون های عمومی



1
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

طیف سنجی انتشار اشعه X با انرژی کم، LEXES

کاربرد های اصلی اندازه گیری دز ایمپلنت یون با دقت بالا برای تطبیق ابزار و فرایند اندازه گیری یکنواختی ایمپلنت یون در سرتاسر ویفر تعیین ترکیب فیلم اندازه گیری یکنواختی فیلم در سرتاسر ویفر اندازه گیری سطوح ناخالصی در فیلم های نازک مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: اشعه های x مشخصه عناصر آشکارسازی شده: B-U محدودیت های آشکارسازی: %۵e13 atoms/cm2 , ۰٫۰۱ at وضوح عمق: N/A، پروفیل عمق ایجاد نمی شود. نصویربرداری/نقشه برداری: بله رزولوشن جانبی نهایی: ۱۰µm~

خدمت آزمون های عمومی



0
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

پروفایلومتر اپتیکی (OP)

کاربرد های اصلی ارتفاع سختی ها و اندازه گیری های ابعادی مشخصه یابی سایش و wear در قطعات مکانیکی ارزیابی میزان استحکام اتصالات لحیم کاری شده، تراشه های فلاپ و دیگر قطعات اتصالی وا بسته ای پیشرفته ایجاد ارتباط میان اندازه گیرهای زبری با خواص مواد، چسبندگی، خوردگی و شکل ظاهری اندازه گیری شعاع انحنای کانال های میکروفلوئیدها، قطعات اپتیکی و .. بررسی خمیدگی ویفرهای فراوری شده / پوشش داده شده، ساخت ممزها محاسبه ضخامت فیلم های SiO2 ممتد ( بدون نیاز به فرایند فیزیکی) آزمایش توان عملکردی بالا در پیچ ها و ویفرها با توانایی های چندگانه

خدمت آزمون های عمومی



0
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

طیف سنجی جرم یونی ثانویه، آنالیز SIMS

کاربرد اصلی تعیین پروفایل عمق دوپنت و ناخالصی اندازه گیری ترکیب و ناخالصی فیلم های نازک (فلزات،دی الکتریک ها، SiGe،مواد III-V و II-V ) تعیین پروفایل رزولوشن بسیار بالای عمق در ایمپلنت های کم عمق و فیلم های بسیار نازک (ایمپلنت های ULE و اکسید های گیت) آنالیزهای توده شامل B، C، O و N در Si انطباق بسیار دقیق تجهیزات فرایند مانند ایمپلنترهای یونی مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: یون های ثانویه عناصر آشکارسازی شده: H-U شامل ایزوتوپ ها محدودیت های آشکارسازی: > at/cm3 ۱۰۱۶-۱۰۱۰ وضوح عمق: > 5Å نصویربرداری/نقشه برداری: بله رزولوشن جانبی/اندازه تخلخل:>= 10µm (عمق پروفیل)؛ ۱µm (حالت تصویربرداری)

خدمت آزمون های عمومی



0
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

طیف سنجی الکترون بازگشتی رادرفورد، آنالیز RBS

کاربرد های اصلی ترکیب و ضخامت لایه های نازک مشخص کردن غلظت‌های ناحیه‌ای (اتم بر سانتی متر مکعب) مشخص کردن چگالی فیلم ها (وقتی که ضخامت معلوم باشد.) مشخصات فنی سیگنال آشکار سازی شده: اتم های هلیوم الکترون بازگشتی عناصر شناسایی شده: B-U محدوده ی شناسایی: ۰/۰۰۱ تا ۱۰ درصد رزولوشن عمقی: ۵۰ تا ۲۰۰ آنگستروم تصویربرداری / توپوگرافی: خیر رزولوشن جانبی/ سایز پروب : بزرگتر مساوی ۲ میلی متر

خدمت آزمون های عمومی



0
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)

میکروسکوپ الکترونی روبشی یا SEM نوعی میکروسکوپ الکترونی است که قابلیت عکس‌برداری از سطوح با بزرگنمایی ۱۰ تا ۵۰۰۰۰۰ برابر با قدرت تفکیکی کمتر از ۱ تا ۲۰ نانومتر (بسته به نوع نمونه) را دارد. میکروسکوپ الکترونی روبشی، از مناسب ترین وسایل در دسترس برای آزمایش و آنالیز مورفولوژی نانو ساختارها و شناسایی ترکیبات شیمیائی است. توانائی SEM برای بررسی سطح مواد بی نظیر بوده و حائز برتری های فراونی نسبت به میکروسکوپ های نوری است.در میکروسکوپ نوری تشکیل تصویر با استفاده از نورهای منعکس شده از سطح نمونه صورت می گيرد، در حالی که در SEM این مهم با بکارگیری الکترون ها میسر می شود. در واقع این میکروسکوپ یکی از روش های تولید تصاویر با روبش یک پرتو الکترونی روی سطح نمونه است. طول موج الکترون ها از فوتون های نور کوتاه تر بوده و طول موج کوتاه تر باعث ایجاد وضوح، قدرت تفکیک و حصول اطلاعات مناسب تر می شود. در حقیقت در SEM هیچ سیستم نوری-الکترونی برای تشکیل تصویر و بزرگ نمائی وجود ندارد، بلکه تصویر از مشاهده نقطه به نقطه پدیده های سطح منتج از اثر متقابل پرتوی الکترونی با سطح نمونه تشکیل می شود.با این روش تصاویر سه بعدی از ساختار، نمونه به دست می آید. کاربرد های اصلی تصویر با رزولوشن بالا میکروآنالیز عنصری و مشخصه یابی ذره مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: الکترون های ثانویه و backscattered و اشعه X، جریان جذب شده، نور (کاتد لومینسنس) و جریان القایی (EBIC) عناصر آشکارسازی شده: B-U (حالت EDS) محدودیت های آشکارسازی: at% 1-0/1 وضوح عمق: mµ ۳-۰/۵ (EDS) تصویربرداری/نقشه برداری: بله رزولوشن جانبی/ اندازه تخلخل: Å ۴۵-۱۵

خدمت آزمون های عمومی



4
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

وزن سنجی حرارتی و آنالیز حرارتی افتراقی

کاربرد های اصلی پایداری/تجزیه حرارتی ارزیابی سن/عمر تعیین تبدیل فاری (به طور مثال تبدیل شیشه ای، نقطه ذوب، گرمای ذوب، بلورینگی، ظرفیت گرمایی) فرمولاسیون/دفرمولاسیون مخلوط های آلی/غیرآلی (مانند جوهر، خمیر یا چسب، کامپوریت های پلیمری) Loss of drying/ignition درجه curing (مانند چسبنده ها، رزین های تنظیم دما) کینتیک واکنش ها (مانند اکسیداسیون، هدروژناسیون، جذب سطحی) رفتار تجزیه در اثر حرارت/سینترینگ مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: تغییر جرم، دما و جریان حرارتی محدوده اندازه گیری: ۲۰۰-۰/۱ میلی گرم؛ ۱۵۰۰-۲۰ درجه سانتی گراد

خدمت آزمون های عمومی



0
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

طیف سنجی زمان پرواز جرم یون ثانویه TOF-SIMS

کاربرد اصلی میکرو آنالیز مواد آلی و غیر آلی سطح هدایت طیف جرمی از سطوح تصویربرداری یونی از سطوح اندازه گیری دز و ضخامت اکسی نیترید سیلیکون مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: گونه های مولکولی و عنصری عناصر آشکارسازی شده: پوشش کل جدول تناوبیبه همراه گونه های مولکولی محدودیت های آشکارسازی: at/cm2 1010-107 زیر تک لایه وضوح عمق: ۳-۱ تک لایه (حالت استاتیک) نصویربرداری/نقشه برداری: بله رزولوشن جانبی/اندازه تخلخل: حدود ۰/۲۰µm

خدمت آزمون های عمومی



0
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ایکس (XPS/ESCA)

کاربرد اصلی آنالیز سطح مواد آلی و غیر آلی، رنگ ها و پسماندها تعیین اطلاعات ترکیب و حالت شیمیایی از سطوح تعیین پروفایل عمق برای ترکیب فیلم های نازک اندازه گیری دز و ضخامت اکسی نیترید سیلیکون اندازه گیری ضخامت فیلم نازک اکسید (SiO2، Al2O3 و …) مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: فوتوالکترون های از اتم های نزدیک سطح عناصر آشکارسازی شده: اطلاعات اتصال شیمیایی Li-U محدودیت های آشکارسازی: at% 1-0/01 زیر تک لایه وضوح عمق: ۲۰۰-۲۰ آنگستروم (حالت پروفایل)؛ ۱۰۰-۱۰ آنگستروم (آنالیز سطح) نصویربرداری/نقشه برداری: بله رزولوشن جانبی/اندازه تخلخل: ۲۰mm – 10µm

خدمت آزمون های عمومی



0
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش

انعکاس کامل فلوئورسانس اشعه ایکس (TXRF)

کاربرد اصلی آلودگی سطحی فلزی بر روی ویفرهای نیمه رسانا مشخصات فنی سیگنال آشکارسازی شده: اشعه های X فلوئورسنس از سطح ویفر عناصر آشکارسازی شده: S-U محدودیت های آشکارسازی: ۱۰۹-۱۰۱۲ at/cm^2 وضوح عمق: ۸۰-۳۰ آنگستروم (عمق نمونه برداری) نصویربرداری/نقشه برداری: اختیاری رزولوشن جانبی/اندازه تخلخل:۱۰nm ~

خدمت آزمون های عمومی



0
آزمایشگاه

مشاهده و سفارش
Error
Whoops, looks like something went wrong.